Das SILTECTRA™-Verfahren ist eine leistungsfähige und kostengünstige Wafering- und Dünnschichttechnologie für Substrate wie SiC und Galliumarsenid, aber auch Galliumnitrid, Saphir und Silizium. Das laserbasierte Verfahren nutzt einen chemisch-physikalischen Prozess, bei dem durch thermische Spannung eine Kraft erzeugt wird, die das Material mit äußerster Präzision entlang der gewünschten Ebene spaltet und praktisch keine Schnittfugenverluste verursacht. Das bietet bahnbrechende Vorteile. Erstens werden mehr Wafer pro Boule extrahiert als bei herkömmlichen Wafering-Technologien. Dies steigert den Ausstoß. Zweitens werden die Kosten für Verbrauchsmaterialien drastisch gesenkt.

Seit November 2018 gehört SILTECTRA zur Infineon Technologies AG, die die Cold Split-Technologie zum Splitten von Siliziumkarbid (SiC)-Wafern einsetzt, wodurch die Anzahl der Chips aus einem Wafer verdoppelt werden kann. Für das Halbleitermaterial Siliziumkarbid (SiC) wird in den kommenden Jahren eine stark steigende Nachfrage erwartet. SiC-Produkte wie die CoolSiC™-Bauelemente von Infineon werden bereits heute in sehr effizienten und kompakten Solar-Wechselrichtern eingesetzt. In Zukunft wird SiC eine immer wichtigere Rolle in der Elektromobilität spielen.