Das 2016 gegründete sächsische Unternehmen sorgte bereits in der Vergangenheit in der Fachwelt für Furore mit der Vorstellung seiner disruptiven nichtflüchtigen Speichertechnologie basierend auf kristallinem ferroelektrischem Hafniumoxid. Die Gründer von FMC hatten ihre Technologie ursprünglich am Nanoelektronik-Labor „Namlab“ der TU Dresden gemeinsam mit Globalfoundries Dresden entwickelt. 

Neben der hohen Geschwindigkeit, der äußerst geringen Stromaufnahme, der CMOS-Kompatibilität, den geringeren Fertigungskosten und der extremen Temperaturstabilität bietet die FMC-Technologie eine vollständige magnetische Immunität und hohe Strahlungsfestigkeit.

Die patentierte Technologie von FMC ermöglicht es, amorphes HfO₂ in kristallines ferroelektrisches HfO₂ umzuwandeln. Auf diese Weise kann jeder Standard-CMOS-Transistor und -Kondensator in eine nichtflüchtige Speicherzelle, einen ferroelektrischen Feldeffekttransistor (FeFET) oder Kondensator (FeCAP) umgewandelt werden.